O ganho de tensão de um amplificador FET é determinado por vários fatores, incluindo:
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Transcondutância (gm): Esta é uma medida de quanto a corrente de saída muda para uma determinada mudança na tensão de entrada. Maior GM leva a maior ganho.
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Resistência de carga (RL): A resistência conectada à saída do FET. Um RL mais alto leva a um ganho maior.
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Resistência interna (rds): Esta é a resistência do próprio FET, que pode limitar o ganho.
O ganho de tensão de um amplificador FET pode ser aproximado usando a seguinte fórmula:
Av ≈ gm * RL Onde:
* Av =ganho de tensão
* gm =transcondutância
* RL =resistência de carga
Considerações importantes: *
Resistência de entrada: Os FETs têm uma impedância de entrada muito alta, o que significa que consomem muito pouca corrente do sinal de origem. Isso os torna ideais para amplificar sinais sem carregar a fonte.
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Resposta de frequência: O ganho de um amplificador FET pode variar com a frequência. Os efeitos capacitivos no circuito podem fazer com que o ganho diminua em altas frequências.
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Preconceito: O ponto de polarização do FET também pode afetar o seu ganho. A polarização adequada garante que o FET opere na região linear para ganho ideal.
Exemplo: Digamos que um FET tenha uma transcondutância de 2 mS (miliSiemens) e esteja conectado a uma resistência de carga de 10 kΩ (kiloOhms). O ganho de tensão aproximado seria:
Av ≈ 2 mS * 10 kΩ =20
Isso significa que a tensão de saída seria aproximadamente 20 vezes maior que a tensão de entrada.
Observação: Esta é uma aproximação simplificada. O ganho real de tensão de um amplificador FET será afetado por fatores como a resistência interna do FET, as condições de polarização e a configuração específica do circuito.
