Em VLSI (Very Large Scale Integration), o termo "tecnologia de 45 nanômetros" refere-se ao tamanho dos transistores usados nos circuitos integrados fabricados usando aquele nó de tecnologia específico. Indica que os transistores nesses circuitos têm um comprimento de porta de 45 nanômetros (nm).
O comprimento da porta é uma dimensão crítica no MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), que é o bloco de construção fundamental dos circuitos integrados digitais. Representa a distância entre as regiões de fonte e dreno do transistor e afeta diretamente a velocidade de comutação e o consumo de energia do transistor.
Ao se referir a um nó tecnológico como “tecnologia de 45 nanômetros”, isso implica que todos os transistores nos circuitos integrados fabricados usando esse processo têm um comprimento de porta de 45 nm. Este nível de miniaturização permite avanços significativos na densidade, desempenho e eficiência energética do dispositivo em comparação com nós de tecnologia anteriores.
A transição para nós tecnológicos menores, como 45 nm, requer melhorias significativas nos processos de fabricação, materiais e técnicas de design para superar os desafios associados à redução das dimensões do transistor, mantendo a confiabilidade e o rendimento.
Ao adotar a tecnologia de 45 nm, os projetistas de chips podem colocar mais transistores na mesma área, levando a maior poder computacional e maior densidade de integração. Isso desempenhou um papel fundamental na condução dos avanços da eletrônica moderna, incluindo smartphones, laptops, servidores e vários dispositivos eletrônicos.
No entanto, a mudança para nós tecnológicos menores também traz desafios, como aumento de correntes de fuga, variabilidade e problemas térmicos. Para enfrentar esses desafios, as técnicas de projeto e fabricação de VLSI continuam a evoluir, ultrapassando os limites da miniaturização e permitindo o desenvolvimento de circuitos integrados cada vez mais complexos e eficientes.
